山東大學(xué)微電子學(xué)院接受微電子學(xué)與固體電子學(xué)專業(yè)同等學(xué)力人員申請碩士學(xué)位班(在職研究生)培養(yǎng)具備電子信息科學(xué)與技術(shù)的基本理論和基本知識，受到嚴(yán)格的科學(xué)實(shí)驗(yàn)訓(xùn)練和科學(xué)研究初步訓(xùn)練，能在電子信息科學(xué)與技術(shù)，計(jì)算機(jī)科學(xué)與技術(shù)及相關(guān)領(lǐng)域和行政部門從事科學(xué)研究,科技開發(fā)，產(chǎn)品設(shè)計(jì)的電子信息科學(xué)與技術(shù)高級專門人才。

　　山東大學(xué)微電子學(xué)院設(shè)微電子系、集成電路工程系、微電子與集成電路實(shí)驗(yàn)教學(xué)中心、微電子材料與器件研究所和集成電路與系統(tǒng)研究所。微電子學(xué)院擁有微電子學(xué)與固體電子學(xué)專業(yè)碩士和博士學(xué)位授權(quán)、電路與系統(tǒng)專業(yè)碩士和博士學(xué)位授權(quán)、電子信息集成電路工程專業(yè)碩士學(xué)位授權(quán)。

一、申請人必須滿足以下條件：

1、遵守法律、法規(guī)，品行端正。

2、已獲得學(xué)士學(xué)位，并在獲得學(xué)士學(xué)位后工作3年以上；或雖無學(xué)士學(xué)位但已獲得碩士或博士學(xué)位者；或通過教育部留學(xué)服務(wù)中心認(rèn)證的國（境）外學(xué)士、碩士或博士學(xué)位獲得者。

3、申請人在申請學(xué)位的專業(yè)或相近專業(yè)做出優(yōu)異成績。

二、研究方向：

01 納米電子和太赫茲器件

02 柔性薄膜電子器件

03 寬禁帶半導(dǎo)體材料與器件

04 有機(jī)自旋半導(dǎo)體材料與器件

05 半導(dǎo)體存儲(chǔ)器

三、全國統(tǒng)考科目：

1、應(yīng)試語種：英語；

2、學(xué)科綜合：電子科學(xué)與技術(shù)；

四、考試大綱及指南、版本：

1、同等學(xué)力人員申請碩士學(xué)位英語水平全國統(tǒng)一考試大綱(第六版)；

2、同等學(xué)力人員申請碩士學(xué)位電子科學(xué)與技術(shù)學(xué)科綜合水平全國統(tǒng)一考試大綱及指南(第二版)；

五、培養(yǎng)管理

我校將對資格確認(rèn)通過者進(jìn)行入冊、轉(zhuǎn)為在冊申請人，認(rèn)定為新生，并于在研究生院網(wǎng)站公布入學(xué)報(bào)到須知。新生須按通知要求辦理入學(xué)等相關(guān)手續(xù)。

在冊申請人自資格審查通過之日起，須在五年內(nèi)通過我校培養(yǎng)方案規(guī)定的全部課程和全國統(tǒng)一考試科目，否則本次申請無效。

在冊申請人須在通過全部考試后的一年內(nèi)提交學(xué)位論文，論文答辯應(yīng)在申請人提交論文后半年內(nèi)完成。

六、學(xué)位授予：

對通過學(xué)位論文答辯，符合學(xué)位授予條件者，經(jīng)學(xué)校學(xué)位評定委員會(huì)批準(zhǔn)，授予山東大學(xué)碩士學(xué)位。