濟(jì)南大學(xué)微電子與光電子材料方向研究生專業(yè)是材料科學(xué)與工程學(xué)院下設(shè)的研究生專業(yè)，材料科學(xué)與工程學(xué)院現(xiàn)有材料科學(xué)與工程、復(fù)合材料與工程和材料物理三個本科專業(yè)，設(shè)有材料科學(xué)與工程一級學(xué)科碩士學(xué)位點(diǎn)，涵蓋材料學(xué)、材料物理與化學(xué)和材料加工工程三個二級學(xué)科，并具有材料工程領(lǐng)域工程碩士學(xué)位授予權(quán)，同時與相關(guān)院校聯(lián)合培養(yǎng)博士研究生。濟(jì)南大學(xué)微電子與光電子材料方向在職研究生專業(yè)簡介如下：

　　微電子與光電子材料與器件產(chǎn)業(yè)的發(fā)展規(guī)模和技術(shù)水平，已經(jīng)成為衡量一個國家經(jīng)濟(jì)發(fā)展、科技進(jìn)步和國防實力的重要標(biāo)志，在國民經(jīng)濟(jì)中具有重要戰(zhàn)略地位，是科技創(chuàng)新和國際競爭最為激烈的領(lǐng)域。本方向在壓電、鐵電、介電和光電半導(dǎo)體薄膜等微電子和光電子材料及器件領(lǐng)域開展了系統(tǒng)而深入的研究工作。

　　在微電子材料方面，主要從事鐵電壓電薄膜制備技術(shù)與性能調(diào)控等研究工作，在無鉛鐵電壓電薄膜的取向生長和缺陷調(diào)控方面形成鮮明特色。采用優(yōu)化的層層快速退火技術(shù)在多種襯底上實現(xiàn)了主極軸取向鉍系層狀鈣鈦礦鐵電薄膜的低溫生長，并在其它鈣鈦礦鐵電薄膜中進(jìn)一步證實了這種非外延取向控制技術(shù)具有高度的普適性和可移植性。率先提出了老化和漏電之間的缺陷關(guān)聯(lián)機(jī)制，在此基礎(chǔ)上通過高低價離子共摻有效抑制了BiFeO3薄膜漏電所導(dǎo)致的各種電學(xué)性能退化。該理論及方法得到了國內(nèi)外同行的廣泛認(rèn)可和采用，相關(guān)成果在Applied Physics Letters等學(xué)術(shù)期刊上發(fā)表的論文已被他200余次。最近，在Bi0.97Nd0.03FeO3薄膜壓電性能提升方面獲得突破。該薄膜有望取代傳統(tǒng)的PZT含鉛薄膜，成為未來無鉛壓電薄膜MEMS器件的核心材料。

　　在光電子薄膜材料方面，主要從事新型半導(dǎo)體薄膜材料與結(jié)構(gòu)設(shè)計、成膜新技術(shù)及其機(jī)理、半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)界面控制等研究。近年來，在水熱法可控生長氧化物薄膜、電化學(xué)合成II-VI族p型半導(dǎo)體薄膜以及半導(dǎo)體薄膜在太陽能電池以及光致發(fā)光等領(lǐng)域的新功能開發(fā)方面取得了多項創(chuàng)新性成果。提出的低臨界條件下種子層誘導(dǎo)晶體取向生長理論解決了ZnO納米棒陣列和TiO2薄膜的取向和致密化生長難題 ，相關(guān)論文已被他引60余次。利用電化學(xué)沉積技術(shù)解決了三維異質(zhì)結(jié)制備及界面控制問題。采用能量激發(fā)改進(jìn)電化學(xué)沉積技術(shù)優(yōu)化了p型半導(dǎo)體薄膜的組成和沉積速率，解決了這類薄膜的化學(xué)計量控制和厚膜沉積難題，目前該技術(shù)正在進(jìn)行太陽能電池的產(chǎn)業(yè)化開發(fā)。

　　近五年來，電子材料方向共承擔(dān)國家自然科學(xué)基金項目9項和省部級項目10余項，發(fā)表SCI收錄論文60余篇，申請國家發(fā)明專利10項，授權(quán)7項。