西安電子科技大學微電子與固體電子學是微電子學院下設的在職研究生專業(yè)，微電子學院有“微電子學與固體電子學”為國家重點學科、批準的首批碩士點、博士點。建有微電子學、集成電路設計與集成系統(tǒng)兩個國家特色專業(yè)。建有寬帶隙半導體技術國家重點學科實驗室、寬禁帶半導體材料與器件教育部重點實驗室。西安電子科技大學微電子與固體電子學主要研究方向如下：

　　寬禁帶半導體材料與器件研究：

　　寬禁帶半導體是繼硅和砷化鎵材料以后的第三代半導體材料，具有高工作溫度、高速、高功率、高抗輻照以及直接帶隙和覆蓋可見光波段等特點，優(yōu)勢十分明顯。本學科在目前最具發(fā)展前景的氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)寬禁帶半導體材料與器件研究方面取得重要進展。

　　在GaN基半導體材料與器件研究方面，突破了制造AlGaN/GaN HEMT微波功率器件所需的MOCVD設備制造、異質結材料生長、微波功率器件和高亮度光電器件制造等一系列核心技術，系統(tǒng)地解決了從設備、材料到器件的關鍵技術問題，研制出了高性能的MOCVD設備、AlGaN/GaN異質結材料、AlGaN/GaN HEMT微波功率器件和高亮度藍光與紫外光器件，為我國半導體照明工程和國防大功率微波器件與電路的發(fā)展奠定了堅實的理論與技術基礎。該方向在高亮度光電器件和材料的研究成果獲得2005年陜西省科學技術一等獎。

　　在SiC基半導體材料與器件研究方面，突破了高質量SiC外延材料制備技術，尤其是實現(xiàn)了Si襯底上SiC的厚外延技術，系統(tǒng)解決了高失配材料的應力釋放和低缺陷密度材料生長。繼而，突破了高溫半導體器件和集成電路制造的關鍵技術，創(chuàng)新地研制出了SiC高溫半導體器件和集成電路，為進一步開發(fā)和研制滿足下一代電子裝備的高性能SiC高溫半導體器件與集成電路提供了理論與技術支撐�！疤蓟�硅油井高溫壓力傳感器”成果獲2002年陜西省科學技術三等獎。

　　本學科在寬禁帶半導體材料和器件方面已與美國、日本、俄羅斯和德國等建立了密切的學術研究合作關系，已在國內外重要刊物上發(fā)表論文194篇，其中被三大檢索收錄的論文166篇。

　　微電路可靠性技術研究：

　　目前國際上CMOS集成電路制造技術已經(jīng)從超深亞微米階段迅速進入到納米階段，隨之而產生的納米器件量子化效應等新的機理對工藝技術的進一步發(fā)展產生了重大的影響，因此從可靠性角度對微納米CMOS器件的工作機理進行深入的理論分析，是評估和指導當前國際集成電路制造技術發(fā)展的關鍵性工作�；�于在微電子可靠性領域20余年的研究成果，本學科廣泛深入地開展了超深亞微米CMOS器件的可靠性機理研究及新結構器件的研制工作，在理論和實踐上取得了重要進展。

　　通過對從0.18微米到65納米工藝CMOS器件的深入研究，在失效機理分析、器件模型改進等方面取得了重要的成果，創(chuàng)造性地提出了超深亞微米復合失效模式理論，全面深入地涉及到了熱載流子效應、柵介質擊穿效應、等離子損傷、銅互連失效等因素，并以此為基礎建立了實用的、適合于從超深亞微米到納米階段器件的SoC可靠性協(xié)同仿真和設計系統(tǒng)。根據(jù)該理論模型，創(chuàng)新性地優(yōu)化設計和制造了100納米體硅型和SOI型槽柵結構器件，獲得了優(yōu)良的器件特性，這對我國軍用及民用高可靠集成電路的設計與制造發(fā)揮了重要作用。

　　相關研究成果已經(jīng)在國內外重要刊物上發(fā)表論文180余篇，其中被三大檢索收錄的論文153篇。2001年獲得國防科技進步二等獎1項，2002年獲得陜西省科技進步三等獎1項，“十五”期間獲得國家發(fā)明專利3項。

　　超大規(guī)模集成電路技術：

　　針對超大規(guī)模集成電路發(fā)展的需求，系統(tǒng)研究了基于電子回旋共振的高密度等離子體微細加工技術。研究了自主知識產權的新型高密度微波ECR等離子體源，研制成功國內第一臺電子回旋共振化學氣相淀積(ECRCVD)設備和電子回旋共振反應離子刻蝕(ECRRIE)設備，主要指標達到國際先進水平，成功應用于“9711”國防重點工程。

　　針對混合信號SoC設計中的關鍵技術問題，提出了混合信號集成電路的高層次模型和嵌入式模擬IP核的概念，建立了高速混合信號集成電路IP核設計方法以及SoC異步互連網(wǎng)絡的設計與驗證方法，成功用于超低壓、超低功耗CMOS模擬器件的設計。

　　在國內外刊物上發(fā)表論文110篇，其中被三大檢索收錄的論文97篇�！癊CR刻蝕與SiC半導體器件技術”、“微波ECRCVD設備”分別獲得2002和2005年陜西省科學技術二等獎。

　　高速半導體材料與器件：

　　硅(Si)基應變材料與器件是目前研究發(fā)展的重點，是集成電路延續(xù)摩爾定律繼續(xù)向高速/高性能發(fā)展的重要技術基礎。本學科在應變Si、應變SiGe材料生長動力學和器件數(shù)理模型深入研究基礎上，對Si基應變材料、高速器件結構及設計的相關關鍵技術取得突破性進展，研制出了既可以采用光能輔助，又可以采用熱分解外延生長Si基應變材料的UHV/CVD系統(tǒng)，創(chuàng)新性地提出了Si基應變材料摻雜濃度的表征方法;基于器件能帶結構，創(chuàng)新性地提出了能夠有效抑制寄生效應的平面型Si基應變高速HBT器件結構模型，并研制出了S波段脈沖功率HBT;創(chuàng)新性地提出了垂直層疊、共柵的高速Si基量子阱應變CMOS器件結構模型，該模型被同行專家稱為具有原創(chuàng)性。

　　該方向在“十五”期間獲得國家發(fā)明專利2項。相關研究成果已經(jīng)在國內外重要刊物上發(fā)表論文60余篇，其中被三大檢索收錄的論文43篇。

　　新型固體激光器技術：

　　固體激光器是我國光纖通信系統(tǒng)和激光成像雷達系統(tǒng)中的關鍵部件，但長期以來嚴重依賴進口。本學科在“211工程”和國防預研項目的支持下，成功地研制出可用于激光成像雷達的高重頻二極管泵浦固體激光器。該成果具有小型、緊湊及全固態(tài)等特性，可以應用于機載、彈載激光成像雷達等激光主動探測系統(tǒng)，用作激光成像雷達的光源，作用距離能夠達到5～8公里，填補了該應用領域國內自主研制高重頻二極管泵浦固體激光器的空白，主要技術指標達到國際先進水平。

　　“調Q連續(xù)激光二極管泵浦固體激光器”成果獲2001年國防科技技術二等獎。已經(jīng)在國內外重要刊物上發(fā)表論文80余篇，其中被三大檢索收錄的論文50余篇。