西安電子科技大學(xué)非全日制研究生周久人說：“在過去的50多年里，以MOS(金屬氧化物半導(dǎo)體)晶體管為標(biāo)志的微電子技術(shù)沿著摩爾定律取得了長足的發(fā)展，芯片單位面積晶體管數(shù)量約每18個月翻一番。然而隨著晶體管特征尺寸縮小，其功耗無法對應(yīng)降低，高功耗成為限制摩爾定律持續(xù)發(fā)展的主要瓶頸。負(fù)電容晶體管將鐵電材料薄膜所具有的負(fù)電容效應(yīng)集成于柵結(jié)構(gòu)中，從而實(shí)現(xiàn)柵壓放大并突破傳統(tǒng)場效應(yīng)晶體管亞閾值擺幅極限—60mV/decade�！�

　　負(fù)電容晶體管是將具有負(fù)電容行為的鐵電薄膜材料插入柵疊層中，可突破晶體管開關(guān)特性受玻爾茲曼統(tǒng)計(jì)分布影響這一根本性限制，可應(yīng)用于具有超低功耗需求的大規(guī)模集成電路，在全世界集成電路普及的今天，具有重要的理論研究和實(shí)際應(yīng)用價值。如此前沿且極具挑戰(zhàn)性的研究課題，就是周久人在攻讀博士學(xué)位期間的核心工作：超低功耗應(yīng)用的負(fù)電容場效應(yīng)晶體管研究。

　　近幾年來，世界各國的科學(xué)家通過理論研究和實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證的方式，證實(shí)了負(fù)電容晶體管能實(shí)現(xiàn)標(biāo)志低功耗特征的亞閾值擺幅小于60 mV/decade陡峭開關(guān)特性的可行性。但是，由于鐵電薄膜材料的負(fù)電容特性機(jī)理極其復(fù)雜，仍面臨負(fù)電容區(qū)域不穩(wěn)定、設(shè)計(jì)規(guī)則不明確以及翻轉(zhuǎn)頻率極限等世界級難題，這也正是周久人目前所專注的研究課題。

　　本期的研途先鋒將走進(jìn)微電子學(xué)院2015級博士研究生周久人。周久人師從郝躍院士和韓根全教授，目前，在郝躍院士團(tuán)隊(duì)的新型微納米CMOS器件課題組做研究。2016年12月，周久人在2016年IEEE International Electron Devices Meeting(簡稱IEDM)上，口頭報告了團(tuán)隊(duì)的最新研究論文《Ferroelectric HfZrOx Ge and GeSn PMOSFETs with Sub-60 mV/decade Subthreshold Swing, Negligible Hysteresis, and Improved IDS》。IEDM是國際微電子器件領(lǐng)域的頂級會議，也是IEEE旗下的兩個王牌會議之一，在國際微電子領(lǐng)域享有權(quán)威的學(xué)術(shù)地位和廣泛的影響力，被譽(yù)為“微電子器件領(lǐng)域的奧林匹克盛會”。該研究論文在IEDM上發(fā)表，標(biāo)志著西安電子科技大學(xué)在先進(jìn)微電子器件研究領(lǐng)域正逐步走向世界前列。