隨著信息技術(shù)數(shù)據(jù)的發(fā)展，數(shù)據(jù)已經(jīng)成為課堂互聯(lián)網(wǎng)的新油的新資產(chǎn)。存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的介質(zhì)變得越來越重要。在信息存儲(chǔ)設(shè)備中，數(shù)據(jù)被存儲(chǔ)在電子自旋和電子電荷的術(shù)語。在本講座中，我將討論搜索有我所用的超高密度磁記錄介質(zhì)，磁性隨機(jī)存取存儲(chǔ)器和電場(chǎng)控制的節(jié)能性存儲(chǔ)器中的納米材料組。用于高密度磁性記錄介質(zhì)和磁性隨機(jī)存取存儲(chǔ)器的應(yīng)用，我們的研究集中于高各向異性磁性材料的開發(fā) - 1 10 FePtwith磁各向異性是高達(dá)7×107erg / cm3時(shí)，它允許存儲(chǔ)密度是一樣高達(dá)50噸比特/ in2.Through的材料和結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，納米結(jié)構(gòu)的FePt薄膜已被開發(fā)，以滿足工業(yè)的所有要求。例如，對(duì)于下一代磁記錄媒體 - 加熱輔助磁性介質(zhì)應(yīng)用的FePt的，F(xiàn)ePt的薄膜具有均勻晶粒尺寸小（5nm）的，（001）織構(gòu)和高各向異性的開發(fā)。對(duì)于MRAM的應(yīng)用程序，獲得超薄的FePt薄膜（1納米）和（001）的質(zhì)地和高各向異性。為節(jié)能存儲(chǔ)器，電壓（電場(chǎng)），而目前的CMOS中使用的和硬盤驅(qū)動(dòng)器是用來寫入data.In這一部分，崴討論基于鐵電隧道結(jié)的新出現(xiàn)的信息存儲(chǔ)技術(shù)相結(jié)合的電場(chǎng)書寫和耐閱讀。強(qiáng)電介質(zhì)隧道結(jié)研制成功在硅基板和寫入速度，耐力和疲勞將被討論。

    陳景升，教授，新加坡國(guó)立大學(xué)材料科學(xué)工程系。1999年至2001年在新加坡南洋理工大學(xué)電子電器工程學(xué)院做博士后工作；2001年至2007年任新加坡國(guó)家數(shù)據(jù)存儲(chǔ)研究院主任工程師，四級(jí)科學(xué)家；2007年至今，在新加坡國(guó)立大學(xué)材料科學(xué)工程系工作。陳教授主要從事納米磁性材料的信息存儲(chǔ)材料與器件、電子強(qiáng)關(guān)聯(lián)氧化物多鐵性材料、自旋電子學(xué)、納米團(tuán)簇的光學(xué)和磁學(xué)性質(zhì)等領(lǐng)域的研究。自2008年,已獲得由世界上最大的硬盤公司美國(guó)希捷技術(shù)超過100萬美元的贊助，開發(fā)的多項(xiàng)技術(shù)應(yīng)用在希捷產(chǎn)品上，并獲得了新加坡科學(xué)技術(shù)部、教育部和國(guó)家研究基金會(huì)超過1200萬新加坡元的資助。陳教授目前正在領(lǐng)導(dǎo)一項(xiàng)900萬新加坡元的項(xiàng)目，開發(fā)低功耗信息存儲(chǔ)器。陳教授是新加坡SG-SPIN聯(lián)盟管理委員會(huì)成員。目前已發(fā)表SCI收錄論文200多篇，出版3本科技書籍，申請(qǐng)國(guó)際發(fā)明專利10項(xiàng)，多次在國(guó)際會(huì)議上做邀請(qǐng)報(bào)告，H指數(shù)為24。2004年獲得陳嘉庚青年發(fā)明獎(jiǎng)；2005年獲得國(guó)家數(shù)據(jù)存儲(chǔ)研究院杰出獎(jiǎng)。